隨著第12代酷睿ALDER LAKE系列、AMD銳龍6000系列移動處理器的廣泛采用，越來越多的筆記本電腦開始采用DDR5筆記本內(nèi)存。因此為了幫助筆記本電腦獲得更好的性能或者更大的容量，內(nèi)存廠商也開始推出DDR5 SO-DIMM筆記本內(nèi)存新品，如本次將要測試的這款英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存16GB套裝產(chǎn)品。

與標準的桌面型DDR5內(nèi)存相比，DDR5 SO-DIMM筆記本內(nèi)存要小不少，其長寬分別只有約69.6MM、30MM。而桌面版的DDR5內(nèi)存，哪怕是采用矮版設(shè)計，沒有設(shè)計RGB導光條，一般長寬也能分別達到133MM、35MM。本次測試的英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存16GB套裝由兩條單根容量為8GB的內(nèi)存組成，每根內(nèi)存采用單面4顆粒設(shè)計，這也是市面上比較少見，顆粒數(shù)相當少的內(nèi)存產(chǎn)品，也就是說每顆顆粒的容量為2GB。

得益于DDR5內(nèi)存技術(shù)，DDR5 SO-DIMM內(nèi)存的顆粒容量更大，存儲密度大幅度提升。而此前我們測試的一款DDR4 SO-DIMM內(nèi)存雖然采用了雙面8顆粒設(shè)計，內(nèi)存顆粒數(shù)量達到8顆，但其單根容量只有8GB，每顆顆粒的容量為1GB。

再就是DDR5在電壓方面的改進，電壓降低至1.1V，這使得DDR5內(nèi)存擁有相比DDR4內(nèi)存相對更高的效率和更低的功耗，畢竟DDR4 SO-DIMM內(nèi)存的工作電壓也需要1.2V。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5內(nèi)存在電路設(shè)計上也有重大變化，將內(nèi)存的電源管理集成電路（PMIC）從主板轉(zhuǎn)移到了DDR5內(nèi)存上，因此英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存也配備了品質(zhì)可靠的電源管理集成電路，確保為內(nèi)存的各個元件提供充沛的“動力”。該內(nèi)存的PMIC電源管理集成電路在內(nèi)存中部的頂端，可以精準地將來自主板的5V電壓降壓輸出給內(nèi)存使用或按用戶設(shè)定的電壓工作。

此外DDR5 SO-DIMM內(nèi)存也同樣加入了ON-DIE ECC糾錯功能，可以發(fā)現(xiàn)和糾正出現(xiàn)在內(nèi)存單元中的數(shù)據(jù)錯誤，在DDR5內(nèi)存達到較高頻率的同時，確保工作穩(wěn)定性與數(shù)據(jù)完整性。

作為美光的消費級品牌，英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存理所當然地選用了來自美光原廠，編號為“1XA45 D8BNK”的美光DDR5內(nèi)存顆粒。其產(chǎn)品編號為MT60B1G16HC-48B ，工作溫度在0℃～95℃范圍內(nèi)。根據(jù)《微型計算機》評測室的測試結(jié)果，美光DDR5內(nèi)存顆粒一般可以穩(wěn)定超頻到DDR5 5600，所以讓它僅僅穩(wěn)定工作在DDR5 4800是毫無問題的。

▲英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存選用了來自美光原廠，編號為“1XA45 D8BNK”的美光DDR5內(nèi)存顆粒。

考慮到筆記本電腦BIOS沒有太多的調(diào)節(jié)項目，因此這款內(nèi)存具備自動設(shè)置頻率、延遲的能力。用戶無須任何設(shè)置，只要將內(nèi)存插入內(nèi)存插槽，內(nèi)存頻率就能自動提升到最高頻率，即DDR5 4800并自動使用最優(yōu)延遲的能力。其在DDR5 4800下的CL、TRCD、TRP、TRAS四大主要延遲參數(shù)僅為40-39-39-76，與其他游戲本使用的DDR5內(nèi)存規(guī)格相當。如華碩天選3酷睿版游戲本搭載的16GB（8GB×2）三星DDR5 4800筆記本內(nèi)存采用的延遲設(shè)置也是40-39-39-76，那么英睿達DDR5 4800 SO-DIMM筆記本內(nèi)存是否有什么優(yōu)勢呢？接下來我們在華碩天選3酷睿版游戲本上進行了測試。

結(jié)果令人意外，盡管華碩天選3酷睿版游戲本里的原配三星DDR5 4800內(nèi)存在主要延遲設(shè)置上與英睿達DDR5 4800筆記本內(nèi)存16GB套裝相同，但在內(nèi)存性能上后者卻具備明顯的優(yōu)勢。如在AIDA64內(nèi)存讀寫測試中，英睿達DDR5 4800 筆記本內(nèi)存16GB套裝的讀取、復制帶寬分別可達66732MB/S、57548MB/S。而原配三星DDR5 4800內(nèi)存的讀取、復制帶寬則分別只有57414MB/S、50493MB/S。三星內(nèi)存僅在內(nèi)存寫入帶寬上有小幅優(yōu)勢。在AIDA64內(nèi)存延遲測試上，英睿達產(chǎn)品也比三星內(nèi)存低了近6NS。

同時在SISOFTWARE SANDRA內(nèi)存帶寬、內(nèi)存延遲測試、《魯大師》內(nèi)存性能測試、PERFORMANCETEST 10.2內(nèi)存性能上，英睿達DDR5 4800筆記本內(nèi)存16GB套裝較原配三星DDR5 4800內(nèi)存都有更好的表現(xiàn)。我們推測這很有可能是英睿達產(chǎn)品在其他小參設(shè)置上較三星內(nèi)存更加激進所帶來的結(jié)果。畢竟內(nèi)存的延遲參數(shù)設(shè)置其實除了四個主要延遲外，還有大量與性能相關(guān)的其他內(nèi)存延遲參數(shù)，如設(shè)置得不同也會帶來性能上的差異。另外我們推測也可能是由于內(nèi)存DIE的技術(shù)特性存在差異所致，如在接口速度或DIE的數(shù)量等。

▲英睿達DDR5 4800 筆記本內(nèi)存16GB套裝的發(fā)熱量也不算很大，在華碩天選3酷睿版游戲本中烤機半小時后，兩根內(nèi)存的最高工作溫度分別為57.8℃、61℃。

總之，盡管頻率相同、主要延遲設(shè)置相同，但在性能上，英睿達DDR5 4800筆記本內(nèi)存16GB套裝相較原配的三星DDR5 4800筆記本內(nèi)存的確更勝一籌。這也讓華碩天選3酷睿版游戲本在搭載英睿達DDR5 4800筆記本內(nèi)存后，擁有更好的處理器性能。其在《魯大師》處理器性能、《魯大師》整機性能、CINEBENCH R23處理器多核心渲染性能、7-ZIP處理器壓縮與解壓縮性能測試上均更勝一籌。所以如果想為采用DDR5內(nèi)存的筆記本電腦升級內(nèi)存性能或容量，那么這款英睿達DDR5 4800 筆記本內(nèi)存16GB套裝就是一個不錯的選擇。