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      美國(guó)“芯片法案”通過后,美光承諾在美國(guó)擴(kuò)產(chǎn)

      摘要:8月1日消息,近日美國(guó)國(guó)會(huì)正式通過了配套有527億美元補(bǔ)貼的“芯片法案”。對(duì)此,美國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商美光也希望能夠從中分到一杯羹,于是在當(dāng)?shù)貢r(shí)間上周五宣布,在未來幾年內(nèi)提高其在美國(guó)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能。

      8月1日消息,近日美國(guó)國(guó)會(huì)正式通過了配套有527億美元補(bǔ)貼的“芯片法案”。對(duì)此,美國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商美光也希望能夠從中分到一杯羹,于是在當(dāng)?shù)貢r(shí)間上周五宣布,在未來幾年內(nèi)提高其在美國(guó)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能。

      在一份簡(jiǎn)短的聲明中,美光贊揚(yáng)了美國(guó)拜登總統(tǒng)及其政府推動(dòng)通過“芯片法案”,并表示,“今天,全球內(nèi)存供應(yīng)中只有 2% 是在美國(guó)制造的,而所有這些都是由美光生產(chǎn)的。”美光旨在改變這種狀況,承諾“在未來幾年顯著增加美國(guó)國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)”。

      美光是少數(shù)幾家在國(guó)內(nèi)運(yùn)營(yíng)代工廠的美國(guó)芯片制造商之一。該公司是 DRAM 和 NAND 閃存模塊的領(lǐng)先制造商,直到最近還是英特爾在其 OPTANE SSD 和持久性內(nèi)存模塊中使用的 3D XPOINT 內(nèi)存的唯一供應(yīng)商。GELSINGER本周取消了這個(gè)項(xiàng)目。

      “今天,全球內(nèi)存供應(yīng)中只有 2% 是在美國(guó)制造的,而所有這些都是由美光生產(chǎn)的。”美光在聲明中寫道,“我們期待在未來幾周內(nèi)分享有關(guān)我們計(jì)劃的更多細(xì)節(jié)?!?/p>

      值得一提的是,美光CEO SANJAY MEHROTRA 在去年 10 月的一份聲明中曾表示:“美光在 DRAM 和 NAND 技術(shù)方面的領(lǐng)先地位以及我們路線圖的實(shí)力,使我們有信心投資超過 1500 億美元,將我們行業(yè)領(lǐng)先的存儲(chǔ)創(chuàng)新擴(kuò)展到下一個(gè)十年?!?/p>

      今年5月,美光發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的3D NAND芯片。7月底,美光宣布其232層堆棧的TLC閃存正式量產(chǎn)。這是全球首個(gè)量產(chǎn)的超過200層的閃存,也是業(yè)界密度最高的,接口速度提升到2.4GB/S,寫入速度提升100%。

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