DDR5內(nèi)存上市初期，產(chǎn)品稀少，價(jià)格高高在上，性能優(yōu)勢(shì)相比DDR4并不很明顯，再加上電源芯片缺貨，讓人又愛又恨。

好在隨著DDR5內(nèi)存價(jià)格逐漸趨于正常，頻率也快速提升，相信全面替代DDR4也只是時(shí)間問題了。

尤其是在筆記本移動(dòng)端，DDR5的普及速度更快，AMD銳龍6000系列甚至直接拋棄了DDR4。

SO-DIMM是專為筆記本內(nèi)存設(shè)計(jì)的形態(tài)，比起桌面上常見的DIMM更小巧，大約只有一半，也將常用于ITX迷你主機(jī)、NUC迷你機(jī)這類內(nèi)部空間并不充裕的產(chǎn)品當(dāng)中。

規(guī)格上，英睿達(dá)DDR5-4800記本內(nèi)存的默認(rèn)頻率是標(biāo)準(zhǔn)的4800MHZ頻時(shí)序?yàn)?0-39-39-76，電壓從原本DDR4的1.2V降低至1.1V，減輕了筆記本功耗上的負(fù)擔(dān)。

值得一提的是，DDR5內(nèi)存的電源管理部分從主板移至內(nèi)存上，并專門配置了一個(gè)電源管理芯片(PMIC)，可以有效控制系統(tǒng)的電源負(fù)載，同時(shí)降低噪聲干擾。

同時(shí)，因?yàn)镈DR5的初始頻率較高，還加入了ON-DIE ECC糾錯(cuò)功能，可以發(fā)現(xiàn)和糾正出現(xiàn)在內(nèi)存單元中的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，確保工作穩(wěn)定性與數(shù)據(jù)完整性，避免在使用過程中出現(xiàn)藍(lán)屏、死機(jī)問題。

我們收到的版本為DDR5-4800規(guī)格，為兩根16GB（8GB×2）套裝。

包裝盒上面的參數(shù)簡(jiǎn)略介紹了該內(nèi)存的規(guī)格，時(shí)序?yàn)镃L40、工作電壓1.1V。

DDR5 SO-DIMM的引腳為262個(gè)，比DDR4 SO-DIMM多了2個(gè)引腳。

英睿達(dá)這根筆記本內(nèi)存采用的是單面內(nèi)存顆粒布局，單顆2GB、共4個(gè)，組成了總?cè)萘康膯胃?GB的容量。

內(nèi)存顆粒中間為PMIC集成式電源管理芯片，由于DDR5將電壓的轉(zhuǎn)換從主機(jī)板轉(zhuǎn)由DRAM 模組自行處理，所以在DDR5內(nèi)存上多了這個(gè)區(qū)域。

英睿達(dá)采用的是自家上游美光原廠DDR5內(nèi)存顆粒，顆粒編號(hào)為IXA45 D8BNK。

我們先插入單根英睿達(dá)DDR5-4800 8GB筆記本內(nèi)存，可以看到系統(tǒng)下能準(zhǔn)確識(shí)別出預(yù)設(shè)的4800MHZ頻率，時(shí)序?yàn)?0-39-39-76，電壓為1.1V。

需要注意的是，因?yàn)镈DR5采用了全新的協(xié)議和規(guī)范，單個(gè)DIMM被分解成2個(gè)通道，也就是原本64BIT拆解成兩個(gè)32BIT，所以單根內(nèi)存插入后會(huì)被識(shí)別成雙通道，兩根內(nèi)存識(shí)別成四通道。

我們使用AIDA64的內(nèi)存與緩存測(cè)試，先分別測(cè)試單根和兩根內(nèi)存的基準(zhǔn)性能。

在單通道內(nèi)存（系統(tǒng)識(shí)別為雙通道）下，測(cè)得讀取、寫入、復(fù)制的速度分別為35404MB/S、30064MB/S、31326MB/S，延遲為94.3NS。

在兩根內(nèi)存組成的雙通道（系統(tǒng)識(shí)別為4通道），測(cè)得讀取、寫入、復(fù)制的速度分別為65791MB/S、58175MB/S、56833MB/S，對(duì)比單條分別高出86％、94％、81％，可見這才是真正的雙通道。

不過延遲也略有增加，達(dá)到了97.5NS，好在幅度不大，僅僅3％。

和我們此前測(cè)試過的DDR4-3200 SO-DIMM筆記本內(nèi)存作為對(duì)比，英睿達(dá)DDR5-4800筆記本內(nèi)存在讀取、寫入、復(fù)制這三方面，分別高出38.6%、22.9%、28.9%。

延遲這方面，要先考慮到DDR5-4800 SO-DIMM內(nèi)存主要是用于筆記本上，和我們此前搭載了高頻DDR4 SODIMM的筆記本評(píng)測(cè)成績(jī)接近，可以說并沒有什么差別，日常使用感知并不明顯。

在單通道內(nèi)存下，硬件狗狗的內(nèi)存性能測(cè)試分?jǐn)?shù)為29943；雙通道內(nèi)存的測(cè)試分?jǐn)?shù)為58220。

解壓縮測(cè)試中除了最直觀的CPU和硬盤占用外，內(nèi)存的作用也不容忽視。

在解壓縮過程中，文件先寫入內(nèi)存，由內(nèi)存將文件寫入硬盤，大內(nèi)存帶來的優(yōu)勢(shì)也越明顯。

雙通道除了帶來容量的提升，也帶來了更快的讀寫速度。在7-ZIP解壓縮基準(zhǔn)中，單通道總體得分為74.987，雙通道為92.228 GIPS。

在這方面，多通道的內(nèi)存性能相較單通道，約有23%的性能提升。

得益于DDR5內(nèi)存帶寬的升級(jí)，只需約20分鐘就完成了測(cè)試，整個(gè)過程并未出現(xiàn)報(bào)錯(cuò)。

英睿達(dá)DDR5-4800 SO-DIMM筆記本的規(guī)格非常標(biāo)準(zhǔn)，單根8GB容量起、4800MHZ頻率、CL40延遲，因此它的定位就是“年輕人的第一臺(tái)DDR5筆記本”，開啟新內(nèi)存普及之路。

現(xiàn)在很多筆記本都預(yù)裝一條內(nèi)存，預(yù)留一個(gè)空閑插槽，再插上一根是絕對(duì)必要的。DDR5雖然實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部雙通道，但聊勝于無，想要真正發(fā)揮出最大性能還得兩根內(nèi)存組成物理上的真正雙通道，有時(shí)可以帶來接近翻倍的性能提升。

同時(shí)，得益于DDR5在頻率上的提升，帶來的帶寬等提升也非常明顯，讀寫性能更是讓DDR4 SO-DIMM內(nèi)存望塵莫及，4800MHZ起步頻率下就能輕松實(shí)現(xiàn)約40%的性能提升。

如果后期推出更高的頻率，這樣的性能差異也會(huì)進(jìn)一步拉大。

帶寬的提升，帶來的好處也是非常明顯的，在7-ZIP等壓縮解壓縮工具，或者是ADOBE全家桶這類創(chuàng)意制作軟件中，DDR5 SO-DIMM的速度更具有優(yōu)勢(shì)。

如今，DDR5內(nèi)存在筆記本上已經(jīng)大行其道，不必再糾結(jié)它和DDR4的差異，無論性能提升還是功耗控制其實(shí)都更勝一籌，兩條8GB也已經(jīng)是基本配置，有條件的話當(dāng)然建議選擇32GB雙通道，可以進(jìn)一步發(fā)揮出DDR5的優(yōu)勢(shì)。